Puolijohdelaserilaserdiodit ovat kuin kristallilaserit puolijohdemateriaaleilla. Aineen rakenteen erojen vuoksi erilaiset laserprosessit ovat melko erikoisia. Yleisesti käytetty työmateriaali galliumarsenidi (GaAs), kadmiumsulfidi (CdS), indiumfosfidi (InP), sinkkisulfidi (ZnS). Kannustimia ovat elektrolyysi, elektronisäteen viritys ja optinen pumppaus kolmessa muodossa. Puolijohdelaserlaite, voidaan jakaa samaan solmuun, yksittäisiin heteroyhteyksiin, kaksinkertaisiin heteroyhteyksiin ja niin edelleen. Homojunction laser- ja yhden heteroyhteyden laserit huoneenlämmössä pulssitetuille laitteille, ja kaksoisheterostruktuurilaserit huoneenlämpötilassa mahdollistavat jatkuvan työn.
Puolijohdediodilaser on käytännöllisin ja tärkein laser. Sen pientä kokoa, pitkäikäisyyttä ja yksinkertaista virtatilaa voidaan käyttää pumppaamaan sen käyttöjännite ja virta on yhteensopiva ICS: n kanssa, siis monoliittisen integraation kanssa. Ja voit myös käyttää tasavirran modulaatiota jopa GHz: n taajuuteen saadaksesi laserlähdön nopean moduloinnin. Näiden etujen ansiosta puolijohdediodilaser optisessa viestinnässä, optisessa tallennustilassa, optisissa gyroskoopeissa, lasertulostuksessa, etäisyydessä ja tutkassa sekä pääsy monenlaisiin sovelluksiin.