20 W 808 nm stabiloidun aallonpituuden kuitukytkentäinen diodilasermoduuli

Näissä lasereissa on vakaa (≈ 1 % tehon vakaus), korkeat lähtötehot erittäin kapeilla spektrikaistanleveydillä ja diffraktiorajoitettu lähtösäde. Suunniteltu korvaamaan kalliit DFB-, DBR-, kuitu- ja ulkoiset ontelolaserit, ja ne tarjoavat erinomaisen aallonpituuden stabiiliuden ajan, lämpötilan (0.03 nm/0C) ja tärinän suhteen. täyttävät vaativimmat aallonpituusvaatimukset.

Diodi on varustettu 200 µm, NA0.22 optisella kuidulla ja termistorilla. Bragg-hilaa hyödyntäen aallonpituus lukitaan 808 nm:iin kapealla spektrin leveydellä ja epäherkkä käyttövirralle ja lämpötilalle. Se on ihanteellinen pumppauslähde solid-state laserille.