3W 5W 8W 808nm yhden lähettäjän lasersiru
Valmistamme puolijohdemateriaalimme tiukimpien laatutarkastusten alaisina. Työskentelemme vain huippuluokan epitaksi-, prosessointi- ja fasettipinnoitustekniikalla. Tangomme, puolitankomme ja yksittäiset emitterimme suuritehoisille diodilasereille täyttävät siksi kaikkein vaativimmatkin vaatimukset: Ne ovat erittäin luotettavia, tehokkaita ja kestäviä. Puolijohdetuotteemme on helppo koota tavallisilla juotosmenetelmillä. Materiaali tukee sekä pehmeäjuotetta (indium) että kovajuotetta (kulta/tina). Toimitamme laserpalkkimme sinulle vakiona p-puolelta erotetuilla emitterirakenteilla. Pyynnöstä voimme valmistaa myös tangoja jatkuvalla p-puolen metalloinnilla ja mukautetuilla fasettipinnoitteilla käyttämällä matalan AR-pinnoitteita ulkoisten resonaattoreiden kokoonpanoon.
Tuotenumero: LC808SE3, LC808SE5, LC808SE8
3W 5W 8W 808nm yhden lähettäjän lasersiru
| Operaatio | |||
| Keskiaallonpituus | 808 nm | 808 nm | 808 nm |
| Aallonpituustoleranssi | 3 nm | 3 nm | 3 nm |
| Lähtöteho | 3W | 5W | 8W |
| Toimintatila | cw | cw | cw |
| Geometrinen | |||
| Lähettimen leveys | 20100 um | 200um | 200um |
| Ontelon pituus | 2000um | 2000um | 4000um |
| Emitter Pitch | 500um | 500um | 600um |
| Sähköoptiset tiedot | |||
| Kynnysvirta | 0.4A | 0.8A | 1.25A |
| Käyttövirta | 2.8A | 4.8A | 8.5A |
| Rinnetehokkuus | 1.22W/A | 1.25W/A | 1.2W/A |
| Muuntamisen tehokkuus | 61 prosenttia | 60 prosenttia | 55 prosenttia |
PIV-kaavio 3W 808nm:
Suositut Tagit: 3w 5w 8w 808nm yhden emitterin lasersirun toimittajat, valmistajat Kiina, tehdas, tukkumyynti, valmistettu Kiinassa










